簡介
1956年，在我國十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被列為當(dāng)時國家新技術(shù)四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的研究發(fā)展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所（以下簡稱半導(dǎo)體所），開啟了中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。

半導(dǎo)體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學(xué)國家重點聯(lián)合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導(dǎo)體所區(qū))；兩個院級實驗室(中心)—中科院半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室和中科院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室。此外，還設(shè)有半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心、高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實驗室、納米光電子實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室和元器件檢測中心。

半導(dǎo)體所現(xiàn)有職工700余名。其中科技人員約480余名。包括中國科學(xué)院院士9名，中國工程院院士2名，高層次引進人才計劃30人，國家“萬人計劃”入選者6人，國家杰出青年科學(xué)基金獲得者20人，“百千萬人才工程”入選者11人，其中黃昆院士榮獲2001年國家最高科學(xué)技術(shù)獎。設(shè)有3個博士后流動站，4個一級學(xué)科博士培養(yǎng)點，2個專業(yè)學(xué)位授權(quán)點。

半導(dǎo)體所高度重視國內(nèi)外交流合作，與地方政府、科研機構(gòu)、大學(xué)和企業(yè)等共建了近40個聯(lián)合實驗室，積極為企業(yè)和區(qū)域經(jīng)濟社會發(fā)展服務(wù)。同時積極開展多層次、全方位的國際學(xué)術(shù)交流與合作，成績顯著，科學(xué)技術(shù)部和國家外國專家局批準成立“國家級國際聯(lián)合研究中心”。并且以自主知識產(chǎn)權(quán)的專利和專有技術(shù)投資，融合社會資本建立了10余家高技術(shù)企業(yè)，并實施科研成果轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實生產(chǎn)力，已初步形成產(chǎn)業(yè)化、商品化規(guī)模。

半導(dǎo)體所秉承“兩個卓越”和“三個推動”的辦所理念，奮斗不息，勇攀高峰，取得了快速發(fā)展，研究所現(xiàn)已發(fā)展成為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應(yīng)用于一體的國家級半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的綜合性研究機構(gòu)。

半導(dǎo)體所的中長期發(fā)展戰(zhàn)略目標(biāo)是：開展與國家發(fā)展密切相關(guān)的、世界科技前沿的基礎(chǔ)性、前瞻性、戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新活動，為發(fā)展我國的高新技術(shù)提供源源不斷的動力；以國家重大需求為導(dǎo)向，開展前沿基礎(chǔ)和應(yīng)用技術(shù)研究，為國家科技發(fā)展提供支撐，并為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步作出貢獻；吸引、聚集和培養(yǎng)國際一流人才；建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平臺，實現(xiàn)科技創(chuàng)新能力的跨越和持續(xù)發(fā)展，成為引領(lǐng)我國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)發(fā)展的火車頭。
院系設(shè)置
半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室
集成光電子學(xué)國家重點實驗室
表面物理國家重點實驗室
光電子器件國家工程中心
中科院半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室
中科院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室
光電子研究發(fā)展中心
半導(dǎo)體照明研發(fā)中心
半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心
納米光電子實驗室
高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實驗室
全固態(tài)光源實驗室
光電系統(tǒng)實驗室
聯(lián)系方式
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